三星新一代860
QVO系列固态硬盘于今日上架美国官网，作为三星首款面向消费者的QLC固态硬盘，它采用传统的2.5寸盘规格，内部为三星自主MJX主控、三星自产V-NAND
QLC闪存颗粒，容量规格有1TB、2TB、4TB。1TB版本官方建议零售价149.99美元。
从官方宣布的参数来看，三星860 QVO固态硬盘由于受限于SATA3 6.0Gbps的传输协议，持续读写最高550MB/s、520MB/s
，随机读写最高97000 IOPS、89000
IOPS。此外1TB、2TB、4TB版本的TBW(总写入量)分别为360TB、720TB、1440TB，三星还提供了三年质保。
很多玩家对QLC不太熟悉，那么QLC是什么呢?随着如今时代数据的指数式增长，对于存储产品的存储能力要求自然也是水涨船高。在经历了增加闪存的架构层数的尝试后，各大闪存厂商已经早早把眼光盯上了存储单元的数据存储量方面。固态硬盘的闪存也从SLC、MLC过渡到TLC，再到如今的QLC。
QLC是一个cell单元可以存储4位电荷，有16种状态。我们知道，TLC闪存是每个Cell单元存储3位电荷，有8种状态，以此类推，MLC是4种状态，SLC是2种状态。同样QLC闪存相当于相同的体积存储量为TLC的2倍，MLC的4倍，SLC的8倍。
由于在QLC中，电荷拥有16种状态，相对应的判断单元属性的时间当然会比判断SLC的2种状态时间来的长，而且也让NAND的操作电压必须增加至16种状态，相对应的电压提升对NAND颗粒的损耗自然也是加剧，所以这解释了QLC可靠性低，寿命短，读写慢的问题。
但是QLC最大的优点就是存储的数据量多，现如今信息已经偏向视频化传播，数据存储服务器所需要的数据承载量也是日益增大，如今的3A游戏大作也是动辄数十GB乃至上百GB，对于硬盘的存量容量也是拥有极大要求，相比较与机械硬盘与TLC固态硬盘，一个传输速度慢，一个购置成本高，或许QLC才是新时代的主流选择。
