骁龙835处理器规格曝光：八核10nm工艺

　　如果说2016年是骁龙820全面普及和骁龙821缓缓而来的一年，那么2017很有可能就是骁龙835称霸的一年。去年11月，高通公司表示将要推出采用10nm制程工艺的骁龙835处理器，据悉这款产品相比前代旗舰在性能上有27%提升，但功耗却下降了40%，这里指的前代旗舰，很有可能就是指骁龙821。

高通骁龙系列芯片

　　外界猜测有关于这款处理器的消息最早将会与即将开始的CES展会上流出，不过现在外媒则提前曝光了骁龙835的规格。芯片核心方面，将采用八核心设计(4×2.45GHz大核、4×1.9GHz小核)，大小核均为Kryo280架构，GPU为Adreno
540，支持4K屏、UFS 2.1、双摄以及LPDDR4x四通道内存，整合了Cat.16基带。支持Quick Charge 4.0快速充电技术，基于三星10nm
FinFET工艺打造。

骁龙835

　　此外，骁龙835将相比前辈们更好的支持于已经兴起的VR设备。而最为抢眼的充电方面，QuickCharge
4.0能实现充电五分钟，提供5小时续航力、15分钟内将设备的电量充到50%，这一数据目前看来非常惊人。

LG G6渲染图

　　至于第一款搭载这颗芯片的智能手机会花落谁家，目前局势尚不清晰，外界猜测三星S8、LG G6以及小米6都有很大的可能成为这款处理器的首发产品。